Японские исследователи изобрели гибкие транзисторы

Исследовательская группа ученых из японского Национального института AIST разработала новый тип транзисторов, которые могут свободно изгибаться, а также отличаются эластичностью и способностью выдерживать значительные физические нагрузки. Основными компонентами новых радиоэлектронных элементов являются резина, эластичный пластик и кремнийсодержащий гель. Благодаря новым свойствам подобные транзисторы можно спокойно использовать в таких местах, где они могут подвергаться сильным нагрузкам, например, в элементах напольного покрытия, в различных механических движущихся частях, на одежде и так далее.

New transistor 1Изготавливается новый транзистор методом формирования электронной начинки в объеме кремнийсодержащего геля толщиной не более 1 миллиметра. В качестве электродов применяется специальный композитный материал, обладающий повышенной проводимостью благодаря использованию углеродных нанотрубок. Отделяющий затвор от канала диэлектрический слой создан из гелеобразного полимера, а сам канал по сути является скоплением хаотично расположенных углеродных нанотрубок, из-за чего он обладает свойствами полупроводника.

Значение тока в открытом состоянии к току в закрытом у транзистора небольшое и не сильно изменяется при физическом воздействии, например, при сжатии или растяжении транзистора. Определенные изменения характеристик наблюдались только после тысячи повторений, при которых транзистор растягивали на 50% его длины. Одномоментные сильные физические воздействия также не принесли какого-либо вреда, когда на транзистор наступала женщина тонким острым каблуком. Нагрузка в данном случае составляла порядка 25 кг на квадратный сантиметр, что значительно выше давления груженого автомобиля на поверхность дороги.

Напомним, что мы уже писали о гибких светодиодных волокнах, которые можно вплетать в ткань.

По словам исследователей, транзисторы успешно работали и тогда, когда они согнуты под острым углом. Благодаря такой устойчивой работе конструкторы планируют применять новые электронные компоненты в местах, где электроника неизбежно подвергается различным физическим воздействиям.

New transistor 3

New transistor 4

Комментарии:

No Comments

Post a Comment